刻蚀机和平版印刷机的区别在于，平版印刷机打印出图案，然后刻蚀机根据打印出的图案蚀刻出有图案的(或未有图案的)部分，剩下的部分留下。蚀刻比光刻更容易。如果把硅晶上的施工比作木匠的工作，那么光刻机的功能就相当于木匠用墨斗在木头上画线，刻蚀机的功能相当于木匠在木结构上使用锯子、凿子、斧头、刨子等。刻蚀机和光刻机具有相同的特性，但精度要求却是天壤之别。木匠做工更加细致，一般可以精确到毫米。用于制作芯片的刻蚀机和光刻机要精确到纳米级。今天的手机芯片，都是台积电的10纳米技术。

　　什么是光刻机？

　　光刻机是掩模进行对准问题曝光机、曝光信息系统、光刻技术系统等。一般光刻工艺需要经过硅片表面清洗、干燥、打底、旋涂光刻胶等步骤、软烘烤、对准曝光、后烘烤、显影、硬烘烤和蚀刻。光刻是指使用光来创建图案(过程);在硅片表面涂上胶水，然后将掩模版上的图案转移到光刻胶上的工艺，暂时将器件或电路结构“复制”到上面的硅片工艺中。

　　光刻机的目的：

　　使表面疏水，增强基材表面与光刻胶的附着力。

　　光刻机器可分为三类：接近接触光刻、直接写入光刻和投影光刻。接近学生接触式通过自己无限可能接近复制掩模上的图案;投影光刻技术利用数据投影物镜将掩模版上的结构以及投影到基板表面上;而直写则将光束聚焦到一个点，移动工件台或镜头扫描，实现对于任意一种图形信息处理。光学投影光刻一直是集成电路的主流光刻技术，具有效率高、无损伤等优点。

　　什么是刻蚀机？

　　其实狭义上理解为光刻刻蚀。首先通过光刻曝光处理，然后对需要去除的部分进行蚀刻处理，并通过其他方法进行处理。随着微细加工技术的发展，在广义上，蚀刻已成为溶液、反应离子或其他机械方法剥离和去除材料的通用术语,已成为微细加工制造的总称。

　　刻蚀机原理：

　　电感进行耦合研究等离子技术刻蚀(InducTIvely Coupled Plasma Etch，简称ICPE)是化学和物理教学过程可以共同发展作用的结果。其基本原理是在低真空压力下，将icp射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，并将一定比例的混合蚀刻气体耦合到辉光放电，产生高密度等离子体。然后，这些等离子体轰击基板表面，使基板图案区半导体材料的化学键断裂，随蚀刻气体产生挥发性物质，以下列形式与基板分离气体，然后被抽离真空管线。