众所周知，芯片的原料是沙子，但是从沙子到芯片，中间有N道工序，需要N种设备和spire技术。在这些器件中，光刻机和刻蚀机是较重要的。根据机构的数据，光刻机的成本约占24%，而刻蚀机的成本约占20%，这两种设备加起来占44%。

　　然后是薄膜沉积设备、测试设备和封装设备，分别占20%、9%和6%。但是薄膜沉积设备不是只有一种，而是一种机器，种类很多，不同于光刻机和刻蚀机。

　　那么问题来了，既然这两种设备如此关键，那么国内光刻机和刻蚀机技术怎么样，与国际先进水平相比差距有多大?

　　先说光刻机，这是大家较为关心的。目前世界上顶级的光刻机自然是ASML的0.55孔径的EUV光刻机。价格在22亿左右，可以生产2nm以下甚至艾米(0.1nm)级别的芯片。然后是ASML的EUV光刻机，0.33口径，十亿元，可以生产5nm，4nm，3nm级别的芯片。但是，EUV光刻机只有ASML能生产，连尼康和佳能都不能生产。目前国内厂商上海微电子可以生产，不为大众所知(不太清楚)，只能用90nm工艺，距离ASML至少还有10年。

　　再说说刻蚀机，这一块国产的很厉害。国内有一家厂商叫微半导体，生产刻蚀机，精度3nm，被TSMC采用。微半导体的刻蚀机与国际顶级应用材料和林凡相比，处于同一水平，并不落后。另外薄膜沉积设备也是北方的华创生产的，但是精度在14nm左右，国产化率10%到15%。

　　可以看到，半导体设备的关键产品，除了光刻机，都不是特别落后。只要国产光刻机能有所突破，纯国产芯片的技术就能快速突破。