晶圆加工包括氧化、扩散、退火、离子注入、薄膜沉积、光刻、刻蚀、化学机械平坦化等十几道工序。其中，三个关键的主要设备是光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备，占前者设备的近70%。

　　刻蚀机工艺顺序是在涂覆和光刻之后。简单来说，刻蚀机的作用就好比雕刻中的切肉刀。利用光化学反应原理和化学物理刻蚀方法，去除附着在晶圆表面不需要的材料，只留下晶圆需要的材料和附着在其上的光刻胶。然后，多次重复上述步骤，得到一个结构复杂的集成电路。

　　按照刻蚀工艺，主要分为干法蚀刻和湿法蚀刻。由于干法刻蚀可以实现各向异性刻蚀，符合现阶段半导体制造高精度、高集成度的要求，所以小规模的先进工艺基本都采用干法刻蚀工艺，导致干法刻蚀刻蚀机在半导体刻蚀市场占据主流地位。

　　根据被蚀刻的材料，可分为硅蚀刻、介质蚀刻和金属蚀刻。目前由于下游需求场景较多，电介质刻蚀机和硅刻蚀机的市场份额相对较高，已经成为市场主流。

　　近年来，全球刻蚀机市场规模大幅增长。刻蚀设备市场规模大幅增长的原因有很多，其中关键的有两个:一是全球半导体生产线的资本支出增加，尤其是近年来中国建设了大量的晶圆厂和存储生产线，带来了大量的刻蚀机需求;二，由于晶圆代工和存储生产线工艺的优化，对刻蚀工艺的需求不断增加，进而对刻蚀机本身的需求也随之增加。

　　市场的强劲增长自然会吸引众多厂商来分一杯羹。但事实上，刻蚀机和大多数半导体器件一样，一直是一个高度集中的行业，市场高度垄断。