光刻胶是一大类具有光敏化学作用（或对电子能量敏感）的高分子聚合物资料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶应用范围：普遍应用于集成电路，封装，微机电系统，光电子器件光子器件，平板显现器，太阳能光伏等范畴。


　　主要技术参数灵活度是权衡曝光速度的指标。灵活度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2.分辨率（resolution）区别硅片外表相邻图形特征的才能。普通用关键尺寸来权衡分辨率。构成的关键尺寸越小，分辨率越好。


　　分辨率是一个综合指标，影响该指标的要素通常有如下3个方面：曝光系统的分辨率。比照度、胶厚、相对分子质量等。普通薄胶容易得到高分辨率图形。前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响分辨率。


　　比照度指从曝光区到非曝光区过渡的陡度。比照度越好，越容易构成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。权衡光刻胶活动特性的参数。黏度通常能够运用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶依据浓度不同能够有不同的黏度，而不同的黏度决议了该胶的不同的涂胶厚度。